電鏡學(xué)堂 | 細(xì)談二次電子和背散射電子（一）

        這樣，我們就將原來(lái)只能從定義的角度進(jìn)行區(qū)分的SE1、SE2、SE3，轉(zhuǎn)變成出射角度不同的軸向SE、高角SE和低角SE。而按照角度進(jìn)行分類之后，在實(shí)際探測(cè)信號(hào)時(shí)是完全可以對(duì)其進(jìn)行區(qū)分的，我們會(huì)在之后的篇幅中對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)的介紹。

這樣，我們現(xiàn)在可以總結(jié)一下幾種類型SE的特點(diǎn)，如表2。

表2

　　很多人都用過(guò)場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，對(duì)樣品室內(nèi)SE探測(cè)器得到的低角SE2信號(hào)，與鏡筒內(nèi)SE探測(cè)器得到的高位SE1信號(hào)的圖像對(duì)比會(huì)深有感觸，很明顯兩者的立體感相差很大，見(jiàn)圖5。

圖5 低角SE圖像（左）和高角SE圖像（右）

        但是對(duì)鏡筒內(nèi)的SE信號(hào)再次拆解為高角SE和軸向SE可能會(huì)覺(jué)得很陌生，雖然前面我們已經(jīng)對(duì)二者進(jìn)行了介紹，但是畢竟不夠直觀。我們不妨看看圖6，兩張圖都是使用鏡筒內(nèi)探測(cè)器獲得，分辨率和立體感都很類似，總體效果非常接近，但是軸向SE（左圖）受到小窗口聚焦碳沉積的影響，而同時(shí)獲得的高角SE（右圖）的碳沉積影響則輕微很多。

圖6 軸向SE圖像（左）和高角SE圖像（右）

　　圖7的樣品為硅片上的二維材料，左圖為高角SE圖像，右圖為軸向SE圖像，軸向SE的靈敏度明顯高于高角SE。

圖7 硅片上的二維材料，高角SE圖像（左）和軸向SE圖像（右）

　　圖8的樣品為絕緣基底上的二維材料，左圖為高角SE圖像，右圖為軸向SE圖像，可以看到軸向SE受到荷電的影響也要高于高角SE。

圖8 絕緣基底上的二維材料，高角SE圖像（左）和軸向SE圖像（右）